GaN Systems

发布日期:2018-11-15 浏览次数:49282

品牌介绍

GaN Systems 是一家总部坐落于加拿大渥太华的功率器件半导体设计公司。公司专注于氮化镓功率器件的研发,其产品充分实现了氮化镓材料在功率转换和控制应用中的优势。为克服硅器件在开关速度、温度、电压和电流方面的瓶颈,GaN Systems研发出全功率范围的氮化镓功率开关管,产品广泛应用于通信电源、工业电源及交通电源等市场。

GaN Systems独特的lsland Technology®技术革命性的提升了产品成本、性能和可量产性,使芯片更小、更高效。Fabless模式便于GaN Systems借助更多的多代工资源,辅以其他创新手段,得以使任何设计方案都能容易采用他们的氮化镓器件。GaN Systems拥有一个有着数十年的行业经验和成功记录的管理及设计团队。公司将继续致力于拓展氮化镓器件在功率转换领域的更多应用。


官网:www.gansystems.com





产品介绍



100V 增强型氮化镓晶体管

品编号
IDS
RDS(on)
QG
外形尺寸
封装散热
GS61004B
38 A
16 mΩ
3.3 nC
4.6 x 4.4 x 0.51 毫米
底部
GS61008P
90 A
7 mΩ
8 nC
7.6 x 4.6 x 0.51 毫米
底部
GS61008T
90 A 7 mΩ
8 nC
7.0 x 4.0 x 0.54 毫米


650V 增强型氮化镓晶体管

产品编号
IDS
RDS(on)
QG
外形尺寸
封装散热
GS-065-004-1-L
4 A
450 mΩ
0.8 nC
5.0 x 6.0 x 0.85 毫米
底部
GS-065-008-1-L
8 A
225 mΩ
1.5 nC
5.0 x 6.0 x 0.85 毫米
底部
GS-065-011-1-L
11 A
150 mΩ
2.2 nC
5.0 x 6.0 x 0.85 毫米
底部
GS-065-011-2-L
11 A
150 mΩ
2.2 nC
8.0 x 8.0 x 0.9 毫米
底部
GS-065-018-2-L
18 A
78 mΩ
4 nC
8.0 x 8.0 x 0.9 毫米
底部
GS-065-030-2-L
30 A
50 mΩ
6.7 nC
8.0 x 8.0 x 0.9 毫米
底部
GS66502B
7.5 A
200 mΩ
1.6 nC
5.0 x 6.6 x 0.51 毫米
底部
GS66504B
15 A
100 mΩ
3.3 nC
5.0 x 6.6 x 0.51 毫米
底部
GS66506T
22.5 A
67 mΩ
4.5 nC
5.6 x 4.5 x 0.54 毫米
底部
GS66508B
30 A
50 mΩ
6.1 nC
7.0 x 8.4 x 0.51 毫米
底部
GS66508T
30 A
50 mΩ
6.1 nC
7.0 x 4.5 x 0.54 毫米
顶部
GS-065-060-5-B-A
60 A
25 mΩ
14 nC
11.0 x 9.0 x 0.63 毫米
底部
GS-065-060-5-T-A
60 A
25 mΩ
14 nC
9.0 x 7.6 x 0.69 毫米
顶部
GS-065-060-3-B
60 A
25 mΩ
14 nC
11.0 x 9.0 x 0.45 毫米
底部
GS66516B
60 A
25 mΩ
14.2 nC
11.0 x 9.0 x 0.54 毫米
底部
GS-065-060-3-T
60 A
25 mΩ
14 nC
9.2 x 7.8 x 0.49 毫米
顶部
GS66516T
60 A
25 mΩ
14.2 nC
9.0 x 7.6 x 0.54 毫米
顶部
GS-065-150-1-D2
150 A
10 mΩ
33 nC 12.6 x 5.6 x 0.3 毫米
晶片



返回顶部